Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization
Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization
复制标题
通过太赫兹隧道电离表征半导体中的深层杂质
DOI：
10.1016/s1369-8001(00)00120-7
复制
发表时间：
2000
影响因子：
4.1
通讯作者：
W. Prettl
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Ganichev;E. Ziemann;I. Yassievich;V. I. Perel’;W. Prettl
