(111)Si基板上GaN/AlN多重量子ディスクの成長と赤外光検出器構造の作製

(111)Si基板上GaN/AlN多重量子ディスクの成長と赤外光検出器構造の作製
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(111)Si衬底上GaN/AlN多量子盘的生长及红外光电探测器结构的制作

DOI:
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发表时间:
2005
期刊:
第53回応用物理学関係連合講演会
影响因子:
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通讯作者:
内田裕行 他
内田裕行 他
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
矢部 光範;藤田 右馬;山浦 司;梅村 茂;廣野 滋;S.Matsui et al.;H.Uchida et al.;H.Uchida et al.;P.Holmstrom et al.;内田裕行 他

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