超低エネルギーイオン注入によるシリコン極浅ドーピング層の形成
超低エネルギーイオン注入によるシリコン極浅ドーピング層の形成
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超低能量离子注入形成超浅硅掺杂层
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
井藤浩志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
山本和弘;井藤浩志
