Electrical characterization of p-type cubic boron nitride/n-type silicon heterojunction diodes
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DOI：
10.1016/j.diamond.2004.11.044
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发表时间：
2005-08
影响因子：
4.1
通讯作者：
K. Nose;Hangsheng Yang;T. Yoshida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nose;Hangsheng Yang;T. Yoshida
