R.Kobayashi,S.Narahara,K.Ishikawa & F.Hasegawa: "In-Situ Observation of Atomic Layer Epitaxy of GaAs using GaCl_3 by Surface Photo-Absorption Method" Japan.J.Appl.Phys.32. L164-L166 (1993)
R.Kobayashi,S.Narahara,K.Ishikawa & F.Hasegawa: "In-Situ Observation of Atomic Layer Epitaxy of GaAs using GaCl_3 by Surface Photo-Absorption Method" Japan.J.Appl.Phys.32. L164-L166 (1993)
复制标题
R.小林、S.奈良原、K.石川
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
