MOSFET nonvolatile memory with a high-density tungsten nanodot floating gate formed by self-assembled nanodot deposition
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具有自组装纳米点沉积形成的高密度钨纳米点浮栅的 MOSFET 非易失性存储器
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Pei
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yanli Pei;Chengkuan Yin;Masahiko Nishijima;Toshiya Kojima;Takafumi Fukushima;Tetsu Tanaka;and Mitsumasa Koyanagi;Yanli Pei;Y. Pei
