Chattering phenomenon in a high-side gate driver circuit using MOSFET equivalent circuit
Chattering phenomenon in a high-side gate driver circuit using MOSFET equivalent circuit
复制标题
使用 MOSFET 等效电路的高端栅极驱动电路中的抖振现象
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Kousaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Goto;H. Asahara;D. Ito;T. Kousaka
