Sips adsorption model for DNA sensing with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Sips adsorption model for DNA sensing with AlGaN/GaN high electron mobility transistors
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使用 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管进行 DNA 传感的 Sips 吸附模型
DOI：
10.1557/opl.2015.131
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O. Ambacher
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Espinosa;S.U. Schwarz;V. Cimalla;O. Ambacher
