Low threshold PbEuSeTe/PbTe separate confinement buried heterostructure diode lasers
Low threshold PbEuSeTe/PbTe separate confinement buried heterostructure diode lasers
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DOI：
10.1063/1.116726
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发表时间：
1996-02
影响因子：
4
通讯作者：
Z. Feit;M. McDonald;R. Woods;V. Archambault;P. Mak
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Z. Feit;M. McDonald;R. Woods;V. Archambault;P. Mak
通过分子束外延生长具有 PbEuSeTe 电和光限制层的单独限制掩埋异质结构 (SCBH) PbTe 二极管激光器，实现了 223 K 的连续波 (cw) 工作温度。这是中红外二极管激光器报道的最高连续工作温度。 SCBH二极管激光器的有源区横向变化，形成最大厚度为0.15μm、横向宽度为2μm的新月形波导。测得的阈值电流极低，在 200 K 时为 102 mA，在 210 K 时为 166 mA，在 215 K 时为 249 mA。
Continuous wave (cw) operating temperature of 223 K was achieved with molecular beam epitaxy grown separate confinement buried heterostructure (SCBH) PbTe diode lasers with PbEuSeTe electrical and optical confinement layers. This is the highest cw operating temperature reported for midinfrared diode lasers. The active region of the SCBH diode lasers varies laterally to form a crescent‐shaped waveguide with a maximum thickness of 0.15 μm and a lateral width of 2 μm. Exceptionally low threshold currents of 102 mA at 200 K, 166 mA at 210 K, and 249 mA at 215 K were measured.