Photoluminescence mechanisms of an Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 K to 296 K
Photoluminescence mechanisms of an Al0.5Ga0.5As/GaAs multiple quantum well in the temperature range from 5 K to 296 K
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Al0.5Ga0.5As/GaAs多量子阱在5 K至296 K温度范围内的光致发光机制
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroshi Kanbe and Masafumi Taniwaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Giang T. Dang;Hiroshi Kanbe and Masafumi Taniwaki
