Peculiarities of (InxGa1−x)2Se3 single crystal oxidation
Peculiarities of (InxGa1−x)2Se3 single crystal oxidation
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(InxGa1−x)2Se3 单晶氧化的特点
DOI：
10.1016/s0167-577x(01)00259-2
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发表时间：
2001
影响因子：
3
通讯作者：
Ya. M. Fiyala
中科院分区：
文献类型：
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作者：
O. Balitskii;V. Savchyn;P. P. Lupshak;Ya. M. Fiyala
