M.Okada, T.Shimizu, H.Ikeda, S.Zaima and Y.Yasuda: ""The influence of additional atomic hydrogen on the monolayr growth of Ge on Si (100) studied by STM"" Appl.Surf.Sci.113/114. 349-353 (1997)
M.Okada, T.Shimizu, H.Ikeda, S.Zaima and Y.Yasuda: ""The influence of additional atomic hydrogen on the monolayr growth of Ge on Si (100) studied by STM"" Appl.Surf.Sci.113/114. 349-353 (1997)
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M.Okada、T.Shimizu、H.Ikeda、S.Zaima 和 Y.Yasuda：“通过 STM 研究额外原子氢对 Si (100) 上 Ge 单层生长的影响”Appl.Surf.Sci。
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