Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
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Si1-xSnx半导体能带结构的理论与实验分析

DOI:
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发表时间:
2016
期刊:
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」(第21回)
影响因子:
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通讯作者:
財満鎭明
財満鎭明
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
長江祐樹;柴山茂久;黒澤昌志;洗平昌晃;中塚理;白石賢二;財満鎭明

文献摘要

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