Epitaxial Insulator for Bottom-gate Field-Effect Devices based on Oxides
Epitaxial Insulator for Bottom-gate Field-Effect Devices based on Oxides
复制标题
用于基于氧化物的底栅场效应器件的外延绝缘体
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masao Katayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Keisuke Ohara;Takeo Ohsawa;Hideomi Koinuma;Yuji Matsumoto;榎並 悠介;和泉 賢;Masao Katayama
