Photoresponse in gate-tunable atomically thin lateral MoS 2 Schottky junction patterned by electron beam

Photoresponse in gate-tunable atomically thin lateral MoS 2 Schottky junction patterned by electron beam
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电子束图案化栅极可调原子薄横向 MoS 2 肖特基结的光响应

DOI:
10.1063/1.4979831
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发表时间:
2017
期刊:
Appl. Phys. Lett.
影响因子:
--
通讯作者:
S. Katsumoto and J. Haruyama
S. Katsumoto and J. Haruyama
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Y. Katagiri;T. Nakamura;C. Ohata;S. Katsumoto and J. Haruyama

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