Gate voltage dependence of nuclear spin relaxation in an impurity-doped semiconductor quantum well
Gate voltage dependence of nuclear spin relaxation in an impurity-doped semiconductor quantum well
复制标题
掺杂半导体量子阱中核自旋弛豫的栅极电压依赖性
DOI：
--
复制
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Ohno
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M.Ono;H.Kobayashi;S.Matsuzaka;Y.Ohno;H.Ohno
登录
查看更多内容
影响因子：
3.7
作者：
G. Salis;D. Awschalom;Y. Ohno;H. Ohno
通讯作者：
G. Salis;D. Awschalom;Y. Ohno;H. Ohno
影响因子：
8.6
作者：
H. Sanada;S. Matsuzaka;Ken Morita;C. Hu;Y. Ohno;H. Ohno
通讯作者：
H. Sanada;S. Matsuzaka;Ken Morita;C. Hu;Y. Ohno;H. Ohno
量子霍尔器件中核自旋系统的相干控制
DOI：
--
发表时间：
2003
期刊：
Appl. Phys. Lett. 82
影响因子：
--
作者：
T.Machida;T.Yamazaki;K.Ikushima;S.Komiyama;小宮山 進;T.Machida
通讯作者：
T.Machida
通过电阻检测核磁共振探测直接偶极-偶极相互作用导致的核自旋退相干
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
T. Ota;G. Yusa;N. Kumada;S. Miyashita;T. Fujisawa;Y. Hirayama
通讯作者：
Y. Hirayama
影响因子：
8.6
作者：
Kondo, Y.;Ono, M.;Ohno, H.
通讯作者：
Ohno, H.