Trapping of multiple H atoms at the Ga(1) vacancy in β -Ga 2 O 3
Trapping of multiple H atoms at the Ga(1) vacancy in β -Ga 2 O 3
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在 β -Ga 2 O 3 中的 Ga(1) 空位处捕获多个 H 原子
DOI：
10.1063/5.0024269
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发表时间：
2020
影响因子：
4
通讯作者：
Weiser, Philip
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fowler, W. Beall;Stavola, Michael;Qin, Ying;Weiser, Philip
