High-K metal gate stacks with ultra-thin interfacial layers formed by low temperature microwave-based plasma oxidation
High-K metal gate stacks with ultra-thin interfacial layers formed by low temperature microwave-based plasma oxidation
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低温微波等离子体氧化形成的具有超薄界面层的高 K 金属栅堆叠
DOI：
10.1016/j.mee.2017.05.041
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发表时间：
2017
影响因子：
2.3
通讯作者：
W. Lerch
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Czernohorsky;K. Seidel;K. Kuhnel;J. Niess;N. Sacher;W. Kegel;W. Lerch
