h-BN/AlNバッファ層を用いたサファイア基板上GaN薄膜のMBE成長

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使用 h-BN/AlN 缓冲层在蓝宝石衬底上 MBE 生长 GaN 薄膜

DOI:
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发表时间:
2018
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
熊倉一英
熊倉一英
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
小林康之;中田啓一;中澤日出樹;岡本浩;廣木正伸;熊倉一英

文献摘要

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