Disorder-Induced Enhancement of Impact Ionization Rate in Silicon Nanodots
Disorder-Induced Enhancement of Impact Ionization Rate in Silicon Nanodots
复制标题
无序诱导的硅纳米点碰撞电离率的增强
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Nobuya Mori
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ken Kanazawa;Taku Nishimura;Shoji Yoshida;Hidemi Shigekawa and Shinji Kuroda;Nobuya Mori;Nobuya Mori
