ドナー密度分布制御型メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション
ドナー密度分布制御型メモリスタ素子における抵抗変化機構の有限要素法シミュレーション
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施主密度分布控制忆阻元件电阻变化机理的有限元法模拟
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
永田善也，藤平哲也，酒井朗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yamaguchi Kengo;Takeuchi Shotaro;Tohei Tetsuya;Ikarashi Nobuyuki;Sakai Akira;永田善也，藤平哲也，酒井朗
