Towards a unified low-field model for carrier mobilities in crystalline silicon
Towards a unified low-field model for carrier mobilities in crystalline silicon
复制标题
建立晶体硅中载流子迁移率的统一低场模型
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Schubert
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Schindler;M. Forster;Juliane Broisch;J. Schön;J. Giesecke;S. Rein;W. Warta;M. Schubert
