Atomic modeling of surface photovoltage: Application to Si(1 1 1):H
Atomic modeling of surface photovoltage: Application to Si(1 1 1):H
复制标题
表面光电压的原子建模：在 Si(1 1 1):H 中的应用
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Micha
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Kilin;D. Micha
表面辅助瞬态位移充电技术。
DOI：
10.1021/jp060757y
发表时间：
2006
期刊：
The journal of physical chemistry. B
影响因子：
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作者：
Krasnoslobodtsev,AlexeyV;Smirnov,SergeiN
通讯作者：
Smirnov,SergeiN