Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing

Group-IV Semiconductor Quantum Heterointegration by Low-Energy Plasma CVD Processing
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通过低能等离子体 CVD 处理进行 IV 族半导体量子异质集成

DOI：
10.1149/05809.0195ecst
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发表时间：
2013
期刊：
ECS Trans.
影响因子：
--
通讯作者：
M.Sakuraba and J.Murota
M.Sakuraba and J.Murota
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
南秀人;中井雅也;深海洋樹;鈴木登代子;大久保政芳;M.Sakuraba and J.Murota

文献摘要

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低能等离子体CVD工艺有望有效地应用于抑制位错产生和混合的高性能IV族半导体异质器件，即Si大规模集成电路上的IV族半导体量子异质集成。综述了 (A) 使用 IV 族半导体开发室温谐振隧道二极管和 (B) 用于 IV 族半导体量子异质集成的低能等离子体 CVD 工艺的最新进展。
Low-energy plasma CVD processing is expected to be effective in application of high-performance group-IV semiconductor heterodevices under suppression of dislocation generation and intermixing, ie group IV semiconductor quantum heterointegration on Si large scale integrated circuits. Recent progress in (A) development of room-temperature resonanttunneling diode using group-IV semiconductors and (B) lowenergy plasma CVD processing for group-IV semiconductor quantum heterointegration are reviewed.