Analysis of Hole Lifetime in SOI MOSFET Single-Photon Detector
Analysis of Hole Lifetime in SOI MOSFET Single-Photon Detector
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SOI MOSFET单光子探测器的空穴寿命分析
DOI：
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发表时间：
2013
影响因子：
0.2
通讯作者：
Dedy Septono Catur Putranto,Wei Du,Hiroaki Satoh,Atsushi Ono,Purnomo Sidi Priambodo,Djoko Hartanto,Hiroshi Inokawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kidist Moges;Bing Hu;Hongxi Liu;Tetsuya Uemura;and Masafumi Yamamoto;Dedy Septono Catur Putranto,Wei Du,Hiroaki Satoh,Atsushi Ono,Purnomo Sidi Priambodo,Djoko Hartanto,Hiroshi Inokawa
