High-Performance Normally-Off MOSFET Using a Wet Etching-Based Gate Recess Technique
High-Performance Normally-Off MOSFET Using a Wet Etching-Based Gate Recess Technique
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采用基于湿法蚀刻的栅极凹槽技术的高性能常关 MOSFET
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Bo Shen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yilong Hao;Wengang Wu;Chen, K.J.;Bo Shen
