Chemical Trend of Isoelectronic Traps in Si Tunnel FET; First-Principles Study
Chemical Trend of Isoelectronic Traps in Si Tunnel FET; First-Principles Study
复制标题
硅隧道场效应晶体管中等电子陷阱的化学趋势；
DOI：
--
复制
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Nakayama
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
S. Iizuka;T. Nakayama
