Fabrication of high-k gate dielectrics using plasma oxidation and subsequent annealing of HVSiO_2/Si structure
Fabrication of high-k gate dielectrics using plasma oxidation and subsequent annealing of HVSiO_2/Si structure
复制标题
使用 HVSiO_2/Si 结构的等离子体氧化和随后的退火制造高 k 栅极电介质
DOI：
--
复制
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
D. Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H. Nakashima;Y. Sugimoto;Y. Suehiro;K. Yamamoto;M. Kaiiwara;K. Hiravama;D. Wang
