Improved electrical properties of SiO2-added BaTiO3 ceramics by microwave sintering
Improved electrical properties of SiO2-added BaTiO3 ceramics by microwave sintering
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微波烧结改善添加 SiO2 BaTiO3 陶瓷的电性能
DOI：
10.1016/j.matlet.2015.11.015
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发表时间：
2016-02
影响因子：
3
通讯作者：
Liu Gang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yan Yan;Liu Lin;Ning Chao;Yang Yun;Xia Chengjie;Zou Yuetong;Liu Shiyuan;Wang Xiaoxue;Liu Kaihua;Liu Xiaokui;Liu Gang
采用微波低温烧结法成功制备了SiO2掺杂的BaTiO 3陶瓷。纯BT陶瓷在居里点处表现出非常高的介电常数（11022）。当SiO2含量为0.5wt%时，未检测到第二相，且显微组织均匀，晶粒细小;而当SiO2含量进一步增加到1wt%和2wt%时，检测到Ba 2 TiSi 2 O 8，并出现柱状晶。致密化程度的提高和第二相的出现都有效地提高了材料的电击穿强度，其电击穿强度可达46 kV/cm。
SiO2added BaTiO3ceramics were successfully prepared by microwave sintering at low temperatures. Pure BT ceramic showed very high dielectric constant (11022) at Curie point. When SiO2was 0.5 wt%, no second phase was detected and it showed homogeneous microstructure with small grains; however, with further increase of SiO2addition to 1 and 2 wt%, Ba2TiSi2O8was detected and columnar grains appeared. The improvement of densification and appearance of second phase were all effective to improve the electrical breakdown strengths and reached 46 kV/cm.
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通讯作者：
Liang, Tongxiang
DOI：
10.1007/s10854-013-1248-5
发表时间：
2013-04
期刊：
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
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--
作者：
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通讯作者：
Jinwen Wang;Chao Xu;B. Shen;J. Zhai
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3.9
作者：
Ogihara, Hideki;Randall, Clive A.;Trolier-McKinstry, Susan
通讯作者：
Trolier-McKinstry, Susan
DOI：
10.1002/chin.201021216
发表时间：
2010-04
期刊：
ChemInform
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--
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M. Oghbaei;O. Mirzaee
通讯作者：
M. Oghbaei;O. Mirzaee
影响因子：
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通讯作者：
Parveen Kumar;Sangeeta Singh;J. Juneja;C. Prakash;K. Raina