ボディバイアス効果を用いたULVR-SRAMセルの設計とそのパワーゲーティング性能
ボディバイアス効果を用いたULVR-SRAMセルの設計とそのパワーゲーティング性能
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利用体偏置效应的ULVR-SRAM单元设计及其功率门控性能
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
塩津勇作，吉田隼，山本修一郎，菅原聡
中科院分区：
文献类型：
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作者：
高橋忠伸;鈴木 隆;塩津勇作，吉田隼，山本修一郎，菅原聡
