InGaAs準一次元チャネルにおけるスピン緩和長の結晶方位依存性
InGaAs準一次元チャネルにおけるスピン緩和長の結晶方位依存性
复制标题
InGaAs准一维沟道中自旋弛豫长度的晶体取向依赖性
DOI:
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发表时间:
2009
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
新田淳作
中科院分区:
文献类型:
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作者:
国橋要司;好田誠;新田淳作