Reduction in interface state density of SiC/SiO2 structure by H2 etching and N2 annealing
Reduction in interface state density of SiC/SiO2 structure by H2 etching and N2 annealing
复制标题
H2蚀刻和N2退火降低SiC/SiO2结构的界面态密度
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and T. Kimoto,
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Tachiki;M. Kaneko;T. Kobayashi;and T. Kimoto,
