Hot electron transport in semiconductors
Hot electron transport in semiconductors
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半导体中的热电子传输
DOI：
10.1007/bf00945017
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发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
C. Schmeiser
中科院分区：
文献类型：
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作者：
W. Hänsch;C. Schmeiser
本文用奇异摄动理论的方法分析了由非线性椭圆方程耦合系统组成的半导体中载流子和能量的稳态流动模型。这一分析揭示了溶液的结构，并证明了对载流子流动的标准漂移-扩散近似的修正版本。ZusammenfassungEin k<e:1> rzlich hergeleitetes modelell f<e:1> r stationären energy - und Ladungsträgerfluß in Halbleitern-bestehend aus einem gekoppelten System von nichtlinearen elliptischen gleichungen - wind mit Methoden der singulären Störungstheorie分析。[2][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1]。
A recently derived model for stationary flow of energy and charge carriers in semiconductors—consisting of a coupled system of nonlinear elliptic equations—is analysed by the methods of singular perturbation theory. This analysis reveals the solution structure and justifies a modified version of the standard drift-diffusion approximation for charge carrier flow.ZusammenfassungEin kürzlich hergeleitetes Modell für stationären Energie- und Ladungsträgerfluß in Halbleitern—bestehend aus einem gekoppelten System von nichtlinearen elliptischen Gleichungen—wird mit Methoden der singulären Störungstheorie analysiert. Daraus ergeben sich Aussagen über die Lösungsstruktur und eine Rechtfertigung einer modifizierten Version der klassischen Konvektions-Diffusions-Approximation für den Ladungsträgerfluß.