A. Ito: "Ion-beam annealing of electron traps in n-type Si indeced by post H^+ implantation" J. Appl. Phys.82・3. 1053-1057 (1997)
A. Ito: "Ion-beam annealing of electron traps in n-type Si indeced by post H^+ implantation" J. Appl. Phys.82・3. 1053-1057 (1997)
复制标题
A. Ito:“通过后 H^+ 注入对 n 型 Si 中的电子陷阱进行离子束退火”J. Appl. 1053-1057 (1997)
DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
中科院分区:
文献类型:
--
作者: