Interface structures in GaAsAl(Ga)As quantum wells controlled by metalorganic vapor phase epitaxy and molecular beam epitaxy
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DOI：
10.1016/0022-0248(94)00553-2
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发表时间：
1995
影响因子：
1.8
通讯作者：
N. Inoue;K. Ikuta;M. Shinohara;J. Osaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Inoue;K. Ikuta;M. Shinohara;J. Osaka
