Charge density analysis of Si using convergent-beam electron diffraction
Charge density analysis of Si using convergent-beam electron diffraction
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使用会聚束电子衍射分析 Si 的电荷密度
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoichiro Ogata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuuji TUJIKO;Makoto KAWAMURA;太田 泰雄;Yasuo OHTA;Ralf Theissmann;Kenji Tsuda;Ralf Theissmann;Kenji Tsuda;Takayuki Akaogi;Takayuki Tajiri;小形曜一郎;赤荻隆之;Takayuki Akaogi;Takayuki Tajiri;Yoichiro Ogata
