H.Nakazawa: "Formation of extremely thin, quasi-single-domain 3C-SiC film on resistively heated on-axis Si(001) substrate using organo-silane buffer layer"Series of Material Science Forum,April,2002 Trans Tech Publications Ltd.(Switzerland). (To be publis
H.Nakazawa: "Formation of extremely thin, quasi-single-domain 3C-SiC film on resistively heated on-axis Si(001) substrate using organo-silane buffer layer"Series of Material Science Forum,April,2002 Trans Tech Publications Ltd.(Switzerland). (To be publis
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H.Nakazawa：“使用有机硅烷缓冲层在电阻加热同轴 Si(001) 衬底上形成极薄的准单畴 3C-SiC 薄膜”材料科学论坛系列，2002 年 4 月 Trans Tech Publications Ltd
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