水素リッチウェット再酸化によって作製された4H-SiC(000-1)面上MOSFET
水素リッチウェット再酸化によって作製された4H-SiC(000-1)面上MOSFET
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富氢湿法再氧化制备4H-SiC(000-1)表面MOSFET
DOI：
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发表时间：
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期刊：
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通讯作者：
奥村元
中科院分区：
文献类型：
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作者：
岡本光央;巻渕陽一;荒岡幹;宮里真樹;須ケ原紀之 ;堤岳志;大西泰彦;木村浩;原田信介;福田憲司;大月章弘;奥村元
