Investigation of InAlAs oxide/InP metal-oxide-semiconductor structures formed by wet thermal oxidation
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湿热氧化形成的 InAlAs 氧化物/InP 金属氧化物半导体结构的研究
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka. S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Nakagawa;M. Yokoyama;O. Ichikawa;M. Hata;M. Tanaka;M. Takenaka. S. Takagi
