A 0.7 to 1 GHz switched-LC N-Path LNA resilient to FDD-LTE self-interference at ≥40 MHz offset
A 0.7 to 1 GHz switched-LC N-Path LNA resilient to FDD-LTE self-interference at ≥40 MHz offset
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0.7 至 1 GHz 开关 LC N 路径 LNA，可抵抗 ≥40 MHz 偏移时的 FDD-LTE 自干扰
DOI：
10.1109/rfic.2017.7969071
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Craninckx
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Gengzhen Qi;B. van Liempd;Pui;R. Martins;J. Craninckx
本文提出了一种适用于覆盖0.7至1GHz FDD-LTE的抗自干扰LNA。它采用了具有增益提升和最佳偏置技术的开关 LC N 路径网络，可增强 ≥40MHz 偏移时的带外 (OOB) 线性度。 LNA 采用 0.18μm SOI CMOS 实现，在默认模式下，在 ≥40MHz 偏移时实现 >31.2dB 输出抑制、+26.2dBm (+8dBm) OOB-IIP3 (iB1dB)，在 +4dBm 阻塞功率下实现 6.8dB 阻塞 NF，同时消耗 48.4 至 62.5mW 的合理功率。当重新配置为高抑制模式时，LNA 提供可调谐消除陷波，将输出抑制提高到 >50dBc。
This paper proposes a self-interference-resilient LNA for the FDD-LTE covering 0.7 to 1GHz. It incorporates a switched-LC N-path network with gain-boosting and optimum-biasing techniques to enhance the out-of-band (OOB) linearity at ≥40MHz offset. Implemented in 0.18µm SOI CMOS, the LNA achieves >31.2dB output rejection, +26.2dBm (+8dBm) OOB-IIP3 (iB1dB) at ≥40MHz offset and 6.8dB blocker NF at +4dBm blocker power for the default mode, while consuming a reasonable power of 48.4 to 62.5mW. When reconfigured to high-rejection mode, the LNA offers a tunable cancellation notch improving the output rejection to >50dBc.