Mechanisms of Reduction in Hole Concentration in Al-Implanted p-type 6H-SiC by 1 MeV Electron Irradiation
Mechanisms of Reduction in Hole Concentration in Al-Implanted p-type 6H-SiC by 1 MeV Electron Irradiation
复制标题
1 MeV电子辐照降低Al注入p型6H-SiC空穴浓度的机制
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T.Ohshima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Matsuura;K.Izawa;N.Minohara;and T.Ohshima
