Evidences of areal switching in Vacancy-Modulated Conductive Oxide (VMCO) memory
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DOI：
10.1016/j.mee.2017.04.046
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发表时间：
2017-06
影响因子：
2.3
通讯作者：
U. Celano;C. Gastaldi;B. Govoreanu;O. Richard;H. Bender;L. Goux;G. Kar;W. Vandervorst
中科院分区：
文献类型：
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作者：
U. Celano;C. Gastaldi;B. Govoreanu;O. Richard;H. Bender;L. Goux;G. Kar;W. Vandervorst
