A.Watanabe,T.Takeuchi,K.Hirosawa,H.Amano,K.Hiramatsu and I.Akasaki: "The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AlN as an intermediate layer" J.Crystal Growth. 128. 391-396 (1993)
A.Watanabe,T.Takeuchi,K.Hirosawa,H.Amano,K.Hiramatsu and I.Akasaki: "The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AlN as an intermediate layer" J.Crystal Growth. 128. 391-396 (1993)
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A.Watanabe、T.Takeuchi、K.Hirosawa、H.Amano、K.Hiramatsu 和 I.Akasaki：“使用 AlN 作为中间层在 Si 衬底上生长单晶 GaN”J.Crystal Growth。
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