Architecture of graphdiyne nanoscale films
Architecture of graphdiyne nanoscale films
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石墨二炔纳米级薄膜的结构
DOI：
10.1039/b922733d
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发表时间：
2010-01-01
影响因子：
4.9
通讯作者：
Zhu, Daoben
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li, Guoxing;Li, Yuliang;Zhu, Daoben
我们已经证明了一种方法，通过使用六乙炔基苯的交叉偶联反应在铜表面上生成具有3.61 cm（2）的大面积石墨二炔膜。制备了基于石墨二炔膜的用于测量电性能的器件，其电导率为2.516 × 10（-4）S·m（-1），表明具有半导体性质。
We have demonstrated a methodology to generate large area graphdiyne films with 3.61 cm(2) on the surface of copper via a cross-coupling reaction using hexaethynylbenzene. The device based on graphdiyne films for measurement of electrical property is fabricated and shows conductivity of 2.516 x 10(-4) S m(-1) indicating a semiconductor property.