金属誘起反応を用いたSi <1-x>Ge x/絶縁膜(x : 0～1)の低温結晶成長
金属誘起反応を用いたSi <1-x>Ge x/絶縁膜(x : 0～1)の低温結晶成長
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利用金属诱导反应进行 Si <1-x>Ge x/绝缘膜（x：0 至 1）的低温晶体生长
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宮尾正信
中科院分区：
文献类型：
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作者：
佐道泰造;黒澤昌志;川畑直之;朴鍾;都甲薫;宮尾正信
