GaN系HFETsの電流コラプスの測定:非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
GaN系HFETsの電流コラプスの測定:非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET
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测量 GaN 基 HFET 的电流崩塌：非极性 a 平面 GaN 衬底上的 HFET 和 c-GaN 衬底上使用 p-GaN 栅极的常断 JHFET
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
杉山貴之;他
