ホウ素濃度の異なるp型基板上に作製したダイヤモンドp-i-nダイオードからの電子放出の比較
ホウ素濃度の異なるp型基板上に作製したダイヤモンドp-i-nダイオードからの電子放出の比較
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在不同硼浓度的 p 型衬底上制造的金刚石 p-i-n 二极管的电子发射比较
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
本部達也，牧野俊晴，加藤宙光，小倉政彦，大串秀世，山崎 聡，竹内大輔，庄司一郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hsin-Hui Huang;Yuen-ting Rachel Chau;Tetsu Yonezawa,* Mai Thanh Nguyen;Shilei Zhu;Dan Deng;Takeshi Nagashima;Koji Hatanaka;Yun Zhang; Lirong Wang; Masayoshi Watanabe;本部達也，牧野俊晴，加藤宙光，小倉政彦，大串秀世，山崎 聡，竹内大輔，庄司一郎
