Excellent electrical properties of TiO2/HfSiO/SiO2 layered higher-k gate dielectrics with sub-1 nm equivalent oxide thickness
Excellent electrical properties of TiO2/HfSiO/SiO2 layered higher-k gate dielectrics with sub-1 nm equivalent oxide thickness
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TiO2/HfSiO/SiO2 分层高 k 栅极电介质具有出色的电性能，等效氧化物厚度低于 1 nm
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Arimura;et.al.
