H.Takahashi: "X-ray Photoelectron Spectroscopy and Ultrahigh Vacuum Contactless Capacitance-Voltage Characterization of Novel Oxide-Free InP Passivation Process Using a Silicon Surface Quantum Well"Japanese Journal of Applied Physics. 38. 1128-1132 (1999)
H.Takahashi: "X-ray Photoelectron Spectroscopy and Ultrahigh Vacuum Contactless Capacitance-Voltage Characterization of Novel Oxide-Free InP Passivation Process Using a Silicon Surface Quantum Well"Japanese Journal of Applied Physics. 38. 1128-1132 (1999)
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H.Takahashi：“使用硅表面量子阱的新型无氧化物 InP 钝化工艺的 X 射线光电子能谱和超高真空非接触电容电压表征”日本应用物理学杂志。
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