陽子線照射によるIII族窒化物半導体の放射線耐性評価
陽子線照射によるIII族窒化物半導体の放射線耐性評価
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通过质子束照射评价 III 族氮化物半导体的耐辐射性
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
吉田英智
中科院分区：
文献类型：
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作者：
一瀬大介;成田晋也;西堀義美;山田弘;人羅俊実;山口栄一;酒見泰寛;伊藤正俊;吉田英智
